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[会议论文] 作者：邱恒德,游元信,林淑萍,黄冠文,
来源：上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 年份：2004
半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-缺陷(Large Dislocation Loops),由于D-缺陷...
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