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[学位论文] 作者：潘量,
来源：重庆大学 年份：2016
等离激元光子学(plasmonics)作为纳米光学的一个分支,其中的研究内容涉及到光在纳米尺度范围内的各种新奇的特性,是物理光学、光学工程、材料科学以及纳米科学等众多学科交叉...
[期刊论文] 作者：潘量坤,刁爱红,,
来源：广西园艺 年份：2007
沼气池生产出来的液体和池渣称之为沼肥。沼肥除了含有丰富的氮、磷、钾等元素外，还含有对农作物生长起重要作用的硼、铜、铁、锰、钙、锌等微量元素，以及大量的有机质、多种氨......
[期刊论文] 作者：潘量坤,刁爱红,
来源：中国果业信息 年份：2007
根据中共广西壮族自治区贺州市委《关于制订国民经济和社会发展第十一个五年规划的建议》和《贺州市国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》，结合贺州市水果生产的实际，贺州......
[期刊论文] 作者：吴巍海,潘量坤,谭意聪,
来源：中国果业信息 年份：2007
近年来，贺州市委、市政府极为重视水果生产，大力实施“优果工程”和无公害农产品行动计划，重点建设1．33万hm^2脐橙基地、2万hm^2梅李基地及0．8万hm^2沙田柚基地。水果生产已成为贺......
[期刊论文] 作者：潘量,邱丽,徐玮婧,何光宏,
来源：2017年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会 年份：2017
现代社会，知识呈现指数式的爆炸增长，人们为了能够适应快速发展的社会步伐，越来越多的人开始采用碎片化移动学习这一新的学习方法。文章对这种新型学习方式进行了深入的研究......
[会议论文] 作者：潘量,庄乾东,曾一平,王红梅,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
量子点的生长目前一直是一个热门研究问题。该文通过对ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格多层量子点材料的透射电镜（ＴＥＭ）照片的研究，对应变超晶格中量子点的成点机制作了一些讨论，认为量子点的形成是应力不断积累而最终弛豫的结果。......
[期刊论文] 作者：黄万霞,林理彬,曾一平,潘量,
来源：半导体学报 年份：1999
用固定能量为２０ｋｅＶ，剂量为１０１１～１０１３／ｃｍ ２ 的质子和固定剂量为１×１０１１／ｃｍ ２，能量为３０～１００ｋｅＶ 的质子，对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ 多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论．结果表明，质子辐照对材......
[期刊论文] 作者：徐玮婧, 刘婷, 潘量, 杨骏骏, 何光宏, 韩忠,,
来源：物理实验 年份：2018
大学物理实验的教学对象为大一、大二年级多个专业的学生,学习情况各不相同,遂从学习兴趣、大学物理实验理论学习情况等多个角度分析了教学现状.为了提高学生学习实验的兴趣,...
[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测......
[会议论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,潘量,陈堂胜,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：周宏伟,曾一平,潘量,王宝强,孔梅影,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测量表明：正入射下在１４～１５μｍ有着强烈吸收。......
[期刊论文] 作者：杨骏骏, 何光宏, 李巧梅, 潘量, 徐玮婧, 韩忠,,
来源：物理实验 年份：2019
在光电效应实验教学中,验证饱和光电流与入射光强的正比例关系实验中主要有两大实验方法改变光强:改变距离和改变光阑面积.为了更好地验证该规律,本文从2个实验方法出发,使用...
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,王红梅,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中，具有广阔的应......
[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：吴文,曾一平,孔梅影,潘量,中科院半导体研究所材料科学中心(北京),
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：于磊,曾一平,孔梅影,潘量,李灵霄,李晋闽,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：王红梅,曾一平,周宏伟,董建荣,潘栋,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1998
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏......
[期刊论文] 作者：于磊,曾一平,潘量,孔梅影,李晋闽,李灵霄,周宏伟,
来源：半导体学报 年份：2000
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x As/ Ga As QD形成及形状的一对重要因素 ,其...
[期刊论文] 作者：周宏伟,董建荣,王红梅,曾一平,朱占萍,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1998
在ＧａＡｓ衬底上ＭＢＥ生长大失配ＩｎＡｓ薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在ＩｎＡｓ薄膜中得到较高的电子迁移率．掺Ｓｉ样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高．且对未掺杂的ＩｎＡｓ薄膜，迁移率在室温附近有一个明显......
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