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[期刊论文] 作者：焦景华,
来源：青春岁月 年份：2014
文章对改革开放以来农民的法律意识的变化进行了重新认识，并提出我国社会转型时期农民法律意识培养途径。...
[期刊论文] 作者：游龙,焦景华,邢志辉,杨慧慧,,
来源：铸造 年份：2015
采用真空离心铸造方法制备了析出强化ZCu Sn10Zn2Fe Co合金试样,经780℃下保温4 h后水淬固溶处理,随后在时效处理温度300℃、400℃、500℃、600℃下各保温4 h,利用扫描电子显...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行 930℃、80 h退火均可获得半绝缘材...
[期刊论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：科学通报 年份：2002
过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和...
[会议论文] 作者：董宏伟,赵有文,焦景华,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文讨论了掺杂元素及其浓度的变化对磷化铟(InP)晶格常数带来的影响,并说明这种变化实际意义.研究结果表明:InP晶格大小变化的主要原因是由于掺杂元素的四面体共价半径不同...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2004
对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2002
对液封直拉 (L EC)非掺磷化铟 (In P)进行 930℃ 80 h的退火可重复制备直径为 5 0和 75 mm的半绝缘 (SI)衬底 .退火是在密封的石英管内纯磷 (PP)或磷化铁 (IP)两种气氛下进行...
[期刊论文] 作者：叶式中,刘巽琅,柴喜云,焦景华,赵健群,曹惠梅,孙文荣,,
来源：仪表材料 年份：1984
本文分析了Fe在InP晶体中的补偿过程,其中存在着一个从低阻N型半导体向半绝缘体过渡的过程。对掺Fe-InP晶体的电阻率ρ与掺入的Fe的重量百分比Fewt/。之间的关系作了粗略的定...
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭,
来源：人工晶体学报 年份：2003
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出...
[期刊论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭如,
来源：人工晶体学报 年份：2003
通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出...
[会议论文] 作者：赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,董志远,曹慧梅,吕旭如,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪......
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