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[学位论文] 作者：熊佳云,,
来源：电子科技大学 年份：2016
宽禁带半导体氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,其具有高禁带宽度（3.4eV）,高临界击穿电场（3.3MV/cm）以及高电子饱和速度（2.5×107cm/s）等良好的电学特性,以GaN材料为基础的高......
[期刊论文] 作者：熊佳云,,
来源：作文成功之路(小学版) 年份：2004
今天,医生来学校给我们打预防针。我如临大祸般惶惶不安,真希望医生带的针不够,这样轮到我们班打针时,我就可以逃过一“劫”了。到底还是轮到我们班了。我怕得不得了,只觉得...
[期刊论文] 作者：熊佳云,
来源：艺术殿堂 年份：2018
【摘要】随着课程改革工作的不断推进，小学音乐教学需要培养学生的音乐综合能力，本文通过教学方向偏离、学生音乐综合素养不高，两个方面对小学音乐教学现状进行了讨论，并对设置合适的教学方向、合理设计教学形式、应用实践活动、培养学生的音乐素养，四个方面对小学音......
[期刊论文] 作者：蔡金勇,周琦,罗小蓉,陈万军,范远航,熊佳云,魏杰,杨超,张,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
提出一种复合沟道氟离子（F-）增强型AlGaN/GaN HEMT（Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT）新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于...
[期刊论文] 作者：蔡金勇,周琦,罗小蓉,陈万军,范远航,熊佳云,魏杰,杨超,张波,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区...
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