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[期刊论文] 作者：吕振林,熊流峰,
来源：西安交通大学学报 年份：1999
研究了反应烧结碳化硅及随后经１６５０℃和１８００℃除硅处理后，材料的显微组织与电阻率之间的关系。反应烧结碳化硅显微组织中有约２０％的游离硅存在，气孔率极低，电阻率也很低。......
[期刊论文] 作者：吕振林,熊流峰,
来源：稀有金属材料与工程 年份：1999
研究了镍对反应烧结碳化硅导电性的影响，结果表明，随含镍量的增加，反应烧结碳化硅的电阻率降低，随测试温度提高，含镍的碳化硅虽呈现负的温度系数，但幅度减小，９００℃保温，随时间延长，电阻率......
[期刊论文] 作者：吕振林,熊流峰,高积强,
来源：西安交通大学学报 年份：2004
研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0....
[期刊论文] 作者：蒋明,胡永达,杨邦朝,熊流峰,
来源：仪器仪表学报 年份：2002
在大功率多芯片组件(MCM)中,功率芯片是其主要热源,它们对MCM组件的温度分布具有决定性作用.运用有限元法,对多热源耦合条件下MCM组件的温度场进行了模拟和分析.模拟结果与测...
[期刊论文] 作者：吕振林,熊流峰,高积强,金志浩,
来源：西安交通大学学报 年份：1999
研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0....
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