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研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023 Ω*cm).经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1 800 ℃除硅处理后,显微组织中还发生了βSiC向αSiC的转变.