反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率

来源 :西安交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：quzg2008

【摘要】

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研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.

【作者】

：

吕振林熊流峰高积强

【机构】

：

西安交通大学

【出处】

：

西安交通大学学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

碳化硅反应烧结电阻率

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研究了反应烧结碳化硅及随后经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系.反应烧结碳化硅显微组织中有约20%的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低(0.023 Ω*cm).经1 650 ℃和1 800 ℃除硅处理后,材料的气孔率增加,密度降低,电阻率增加;经过1 800 ℃除硅处理后,显微组织中还发生了βSiC向αSiC的转变.

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