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[学位论文] 作者：王小耶,
来源：中国科学院大学 年份：2015
由于半导体纳米线中的载流子在两个维度上运动受限，纳米线表现出优异的准一维载流子输运导电特性，并且凭借其结构自下而上的可控制备、完美释放与衬底材料间的应力以及易与CMOS......
[会议论文] 作者：王小耶,杨涛,
来源：第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议 年份：2016
由于ⅡI-V族半导体纳米线具有低维结构,较高的电子、空穴迁移率等优点,在未来高性能电子器件和光电器件中将会有广泛的应用价值,近些年来这种低维材料引起了人们广泛的关注和研究.硅衬底上外延ⅡI-V族体材料,由于两者的晶格失配严重,应力会不断累积,而使得外延......
[会议论文] 作者：王小耶,杨晓光,杜文娜,杨涛,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
InAs和GaSb这两种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于具有极其优异的电子输运特性和小能隙能谱结构,可作为研制新型高性能纳米电子器件的材料.InAs材料属于n-型窄带隙半导体材料,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子载流子迁移率较高、电子有效质量较小的半导体材料,因此是研制高性......
[会议论文] 作者：杜文娜,王小耶,杨晓光,杨涛,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率的InSb半导体纳米线制成的纳米器件工作截止频......
[期刊论文] 作者：张昕彤,李星,王小耶,付梦琦,杨涛,陈清,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2015
制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性。与真空中的结果相比,空气中器件...
[会议论文] 作者：陈清,付梦琦,史团伟,王小耶,杨涛,潘东,赵建华,
来源：第十四届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2013
InAs 材料有很高的电子迁移率和小的有效质量，在高频器件、红外探测等多个领域都有广泛的应用前景。基于InAs 纳米线的器件在一些方面具有优于现有硅器件的性能，受到人们的......
[会议论文] 作者：杜文娜,杨晓光,王小耶,季祥海,王占国,杨涛,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：王小耶,李天锋,杨晓光,罗帅,季海铭,杨涛,史团伟,陈清,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成...
[会议论文] 作者：王小耶,史团伟,李天锋,杨晓光,罗帅,季海铭,陈清,杨涛,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。......
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