【摘 要】
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InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率的InSb半导体纳米线制成的纳米器件工作截止频率理论上可达到数个THz,因此有望成为未来超高速响应系统和集成电路的重要基本元件.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083
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InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率的InSb半导体纳米线制成的纳米器件工作截止频率理论上可达到数个THz,因此有望成为未来超高速响应系统和集成电路的重要基本元件.
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针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.
Optical studi es of photol uminescence (PL), PL excitation (PLE), tim e-resolved PL (TRPL) and Ram an scattering have been perf ormed on In xGa1-xN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown on
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基垂直结构LED.然而,传统GaN基垂直结构LED的制作过程比较繁琐,等离子体电感耦合(ICP)通常需要用到两次(刻蚀u-GaN,分离器件并确定芯片尺寸),刻蚀工艺复杂,价格昂贵,而且在刻蚀的过程中会对底部的反射镜以及量子阱造成一定的损伤.
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三(乙酰丙酮)合铱(Ⅲ) [Ir(acac)3]易升华,分解温度低,是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备铱低维材料的理想前驱体[1-3].然而Ir(acac)3的合成技术仍被发达国家垄断,文献报道的关于Ir(acac)3的合成产率最高仅为22％,导致了我国使用的Ir(acac)3依赖进口,处于受制于人的局面.
日盲紫外光探测可避免最主要的背景光噪声源—日光的干扰,因此在民用与军事领域有着广泛的应用.三元化合物AlGaN具有直接带隙、耐腐蚀、抗辐射等的特性,通过调节Al组分,其带隙对应波长可由UV-A而至UV-C波段,是制作固态日盲紫外探测器的优选材料体系.
基于Ⅲ族氮化物的固态雪崩光电探测器(APD)因具有低操作电压、低功耗、小尺寸、无需冷却等优点而适合集成到航天飞机、卫星和一些军事装备上.具有本征日盲特征的AlGaN-APDs能够在太阳辐射背景下探测微弱甚至是单光子的日盲波段光信号,有希望部分替代目前需要在高压下操作的易碎的光电培增管.
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