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[学位论文] 作者：王彩琳,,
来源： 年份：2007
门极换流晶闸管(GCT)是在GTO的基础上开发的一种新型大功率半导体器件，有广阔应用的前景，目前在国内尚属空白。本文系统地分析了GCT与GTO在结构、原理和特性以及制作工艺等方面...
[期刊论文] 作者：王彩琳,,
来源：电气电子教学学报 年份：2011
笔者从＂半导体工艺原理＂课程的教学内容、教学方法和实践能力培养等方面探索了应用型人才的培养模式,提出了以教学内容的整合为中心,以教师引导式多媒体教学与学生自主式学习相......
[学位论文] 作者：王彩琳,,
来源：延安大学 年份：2020
目的:通过研究睡眠障碍及熬夜对肺结核(PTB)患者外周血免疫指标的影响,旨在从机制层面为睡眠障碍及熬夜作为肺结核发病的危险因素提供依据;为临床医生日后在肺结核的诊治过程中重视睡眠障碍及熬夜对疾病的影响,并为联合免疫调节治疗提供理论依据;同时指导患者日......
[期刊论文] 作者：王彩琳,
来源：半导体情报 年份：1999
综述了电力半导体器件的最新发展动向，介绍了几种新型的电力半导体器件，指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。...
[期刊论文] 作者：王彩琳,
来源：半导体情报 年份：1999
对电力电子行业中７０个企事业单位近两年来的状况进行了市场调查，并对今后２￣３年内我国电力电子器件产量和市场动态进行了预测。...
[期刊论文] 作者：王彩琳,,
来源：半导体杂志 年份：1997
通过对三级复合达林顿结构GTR的体耐压进行计算机辅助分析。讨论了影响GTR体耐压的诸因素。提出了三级复合达林顿结构GTR体耐压的一种新的设计方法,并制作了样品,测试表明,计...
[期刊论文] 作者：王彩琳,,
来源：甘肃联合大学学报(自然科学版) 年份：2012
在体育教学中,遵循体育项目规律,根据体育活动的特点,通过体育教师的指导与学生的参与相结合,利用课堂与课间活动的组织形式,加强对学生合作意识的培养....
[期刊论文] 作者：王彩琳,,
来源：电力电子技术 年份：2008
通过对门极换流晶闸管（GCT）关键技术的研究，提出了一种沟槽隔离的逆导型GCT结构。借助MEDICI软件，模拟了GCT的各项特性及其在内部的微观现象，对透明阳极、缓冲层、隔离区等关键结......
[期刊论文] 作者：王彩琳,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
客观全面地反映了我国电力电子行业的现状,并分析了当前经济体制深入改革过程中电力电子产品的市场动态、用户需求、发展动向及存在问题....
[会议论文] 作者：王彩琳,
来源：中国电工技术学会电力电子学会四届四次理事会议暨学术报告会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：王彩琳,
来源：现代营销·理论 年份：2020
摘 要：国内金融科技的快速发展快速改变了人们的生活方式，金融与科技通过过去几十年的发展与融合，在最近十年因为大数据、云计算、人工智能、物联网、生物识别、区块链等技术的深入发展，金融行业发生了翻天覆地的变化。 关键词：甘肃;金融科技;建议 一、推动金......
[学位论文] 作者：王彩琳,
来源：兰州财经大学 年份：2021
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[期刊论文] 作者：安涛,王彩琳,
来源：西安理工大学学报 年份：2002
利用场限环终端结构及P^+I(N^-)N^+体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力，提出了一种优化设计阻断能力的新方法，通过将器件作成体击穿器件，使其终端击穿电压与体内击穿......
[期刊论文] 作者：王彩琳,孙丞,,
来源：电力电子技术 年份：2008
简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理，从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响。采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通...
[期刊论文] 作者：王彩琳,于凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
对常用的场限环（FLR）和正、负斜角终端结构的耐压机理进行了简要分析,讨论了其结构参数的优化方法。基于GTR台面终端结构,在功率M O SFET中引入了一种类似的沟槽负斜角终端结构...
[期刊论文] 作者：王彩琳,高勇,,
来源：半导体学报 年份：2006
在分析门极可关断晶闸管（GTO）和门极换流晶闸管（GCT）门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方......
[期刊论文] 作者：王彩琳,高勇,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了逆导型门极换流晶闸管(RC—GCT)中几个关键参数，如n^-基区和透明阳极的厚度和浓度及隔离区的宽度等参数的设计方法．根据该设计方法建立了RC—GCT的结构模型，利用MEDICI模...
[期刊论文] 作者：王彩琳,高勇,,
来源：集成电路应用 年份：2003
本文重点介绍了几种新型的硅(如COOLMOS、IGBT、IEGT、MCT、GTO、IGCT、PIC)和碳化硅器件(如SiC—功率MOSFET、SiC—Bi—MOSFET和SiC—GTO)。分析了这些器件的结构特点、工作...
[期刊论文] 作者：王彩琳,陈力才,
来源：半导体情报 年份：1998
阐述了电力半导体器件与汽车工业的关系、在电动汽车中的应用及其在未来的汽车电子化中不可低估的作用。...
[期刊论文] 作者：王彩琳,高勇,
来源：半导体学报 年份：2007
在阳极短路型门极可关断晶闸管（SA-GTO）的基础上，提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管（IEC-GTO），其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制．模拟了IEC-G......
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