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[会议论文] 作者：王敏花[1]高魏峰[2]刘晓平[1]李彦林[1]羊建坤[1]任丙彦[1]曹中谦[2]魏亚涛[2]周永[2]路建磊[2],
来源：第九届中国太阳能光伏会议 年份：2006
本实验利用本征氢化非晶硅来钝化a-Si:H和c-Si的界面,从而提高电池的转换效率.制备a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池所用的单晶硅片为250μm厚,电阻率为1Ω·cm,晶向为(100)...
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