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[学位论文] 作者：王文樑,,
来源：华南理工大学 年份：2016
三元化合物半导体AlGaN随着Al组分从0变化到1,可实现禁带宽度从3.4 eV到6.2 eV,即对应波长范围从365 nm到200 nm连续可调;可用于制备紫外发光二极管、紫外探测器、高电子迁移...
[学位论文] 作者：王文樑,
来源：上海财经大学 年份：2008
自2005年8月首只权证在上海证券交易所挂牌上市后，权证产品得到了迅猛的发展。然而其特殊的T+O交易机制和合格券商创设权证制度，也使权证市场饱受诸多争议。而这些争论的核心其......
[期刊论文] 作者：王文樑,李国强,,
来源：半导体技术 年份：2012
通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的...
[期刊论文] 作者：李佳,王文樑,季小红,
来源：半导体光电 年份：2021
采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。结果表明,经预处理......
[期刊论文] 作者：刘作莲,王文樑,杨为家,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2014
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对外延生长所得GaN薄...
[期刊论文] 作者：朱运农,王文樑,杨为家,王海燕,李国强,,
来源：材料研究与应用 年份：2016
采用脉冲激光沉积（PLD）技术在AlN／Si异质结上外延生长GaN薄膜．研究了气压对GaN薄膜结构性能和表面形貌的影响，利用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）对......
[期刊论文] 作者：刘作莲,王海燕,杨为家,王文樑,李国强,,
来源：半导体技术 年份：2014
应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长...
[会议论文] 作者：朱运农,王文樑,杨为家,王海燕,李国强,
来源：2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 年份：2015
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[期刊论文] 作者：杨美娟,林云昊,王文樑,林志霆,李国强,
来源：材料研究与应用 年份：2016
采用金属有机化合物气相沉积法（MOCVD）在Si（111）衬底上外延生长AlN薄膜，用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征，并研究了适量Hz的......
[期刊论文] 作者：欧阳佩东, 衣新燕, 罗添友, 王文樑, 李国强,
来源：人工晶体学报 年份：2022
在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和专利被少数几家公司持有的大环境下，对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破，形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文......
[期刊论文] 作者：刘鹏浩,江弘胜,张明丹,张晓琴,陈胜,王文樑,李国强,
来源：半导体技术 年份：2021
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错.因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器......
[期刊论文] 作者：刘作莲,王文樑,杨为家,林云昊,钱慧荣,周仕忠,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2014
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展,以及...
[期刊论文] 作者：钱慧荣,周仕忠,刘作莲,杨为家,王海燕,林志霆,林云昊,王文樑,李国强,,
来源：半导体光电 年份：2015
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和...
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