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[会议论文] 作者：王晓亮;孙殿照;王军喜;胡国新;刘宏新;刘成海;曾一平;李晋闽;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和...
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
[会议论文] 作者：王晓亮,孙殿照,王军喜,胡国新,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10cm,比GaAs基和I...
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