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[会议论文] 作者：王晓亮[1]陈堂胜[2]唐健[3]肖红领[1]王翠梅[1]李晋闽[1]王占国[4]侯洵[5],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀...
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