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使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm。跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对2个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3％。