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[期刊论文] 作者：王槐乾, 姜宏伟,,
来源：真空 年份：2019
为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征...
[期刊论文] 作者：王槐乾, 姜宏伟, 王方标, 黄海亮, 左桂鸿, 王丹, 郑,
来源：电镀与精饰 年份：2019
为研究工艺参数在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变工艺参数使用直流磁控溅射设备在N2流量5 sccm,N2压强为5 Pa生长TiN薄膜。采用射频磁控溅射法在N2流量5 sccm、N2压...
[期刊论文] 作者：王槐乾,姜宏伟,黄海亮,王方标,左桂鸿,郑友进,
来源：电镀与涂饰 年份：2020
采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究了氮气流量(5、10、25、50 sccm)及氮氩气流量比(4∶1、3∶2、2∶3、1∶4)对磁控溅射TiN薄膜微观形貌和相组成的影响。结果显示,所...
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