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[学位论文] 作者：王欣姿,
来源：北京交通大学 年份：2005
由于以往电子俘获光存储材料存在一些实用上的问题，限制了它们的广泛应用。为了弥补这些不足，更深入的了解电子俘获材料的光学性质，进一步提高它们的光存储性能，本文研究了Eu......
[期刊论文] 作者：王欣姿,王永生,孙力,王婷婷,
来源：中国稀土学报 年份：2005
针对以往电子俘获光存储材料存在的问题,利用高温固相反应发制备了一种Eu2+ 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷,研究表明在该材料中具有光激励发光 (PSL) 特性,并可用于电子俘获光存储....
[期刊论文] 作者：王欣姿,王永生,孙力,王婷婷,
来源：中国稀土学报：英文版 年份：2005
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[期刊论文] 作者：王欣姿,王永生,孙力,徐征,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2006
利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3：Eu^2＋样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处，属于Eu^2＋的5d-4f跃迁发光。光激励峰位于660nm，因而可以配用简单廉价的氦...
[期刊论文] 作者：王欣姿,王永生,孙力,孟宪国,
来源：光电子技术与信息 年份：2005
电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上.只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电...
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