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[期刊论文] 作者：王正鸣,
来源：电力电子技术 年份：1997
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数－轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降，电流增益，开关时间之间的矛盾。......
[期刊论文] 作者：王正鸣,
来源：电力电子技术 年份：1996
通过对负斜角造型晶闸管结构特性及正向阻断状态的细致分析，提出了一维体内多结电流增益及雪崩倍增共同作用，终端区仅考虑单结雪崩倍增作用的不同击穿模式。经数值计算表明，在长......
[期刊论文] 作者：王正鸣,
来源：电力电子技术 年份：1992
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[会议论文] 作者：王正鸣,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第四次全国学术会议 年份：1990
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[会议论文] 作者：王正鸣,
来源：中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：王正鸣,,
来源：上海教育 年份：1995
社区教育,是指把学校置于社会大背景下,以地区为依托,坚持“教育必须为社会主义经济建设服务,社会主义经济建设必须依靠教育”的原则,发动本地区社会各方面力量,支持教育,参...
[会议论文] 作者：王正鸣;张建平;,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达顿ＧＴＲ的关键体内参数－轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益及开关时间之间的矛盾。并......
[期刊论文] 作者：王正鸣,陆剑秋,,
来源：电力电子技术 年份：2009
设计制造了5英寸7.5kV光控晶闸管。采用中心对称P型变掺杂技术设计制造光敏区时,在从中心到阴极边界的区域内集成化引入了过电压及电压高上升率保护性触发功能,以及径向开通...
[期刊论文] 作者：王正鸣,陈黄鹂,
来源：电力电子技术 年份：2016
研究使晶闸管有效面积比极大化的阴极图形及结终端结构设计和工艺技术,实质性提高特高压（UH-V）晶闸管综合性能参数水平,易于折中协调突出重点性能参数。研制成6.3 kA/7.5 kV及5...
[期刊论文] 作者：王正鸣,陆剑秋,,
来源：电力电子技术 年份：2008
经过对各种高压电力半导体器件实用模型的分析，设计了长、短基区最薄，P区径向变掺杂的一种双负角6英寸晶闸管，该晶闸管具有在获取一定高电压的同时能获取最大通态电流、最佳协调......
[会议论文] 作者：王正鸣;陆剑秋;,
来源：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛 年份：2009
在当前硅材料的直径、电阻率及其径向分布均匀性的最高水平基础上，提出运用以表面反型为判据的低浓度掺杂分布、电压片厚比、长基区临界薄、P型径向变掺杂等措施设计制造具有......
[期刊论文] 作者：王正鸣,赵旭东,
来源：电力电子技术 年份：1990
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[会议论文] 作者：王正鸣,李玉玲,罗艳红,刘东,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会 年份：2014
研究一种阻断结杂质浓度梯度反型低、中心对称径向变化的P型掺杂分布,形成一条同时提高负角类终端晶闸管di/dt、dv/dt,转折电压及通流能力的新途径.进而制造了全世界首只6300A、7200V最大功率晶闸管.该晶闸管综合参数水平优秀,通过中国最新特高压直流工程元件级......
[期刊论文] 作者：王正鸣,李建华,王彩琳,刘东莉,
来源：电力电子技术 年份：1997
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的......
[期刊论文] 作者：陈治明,赵旭东,高勇,王正鸣,
来源：半导体学报 年份：1990
介绍用数值分析方法对6000V特大功率晶闸管的正向压降进行计算机模拟,对降低正向压降的途径进行计算机辅助分析的一些基本考虑和主要结果。在强调重掺杂与大注入效应的时候,...
[会议论文] 作者：张昌利,金银东,金相哲,宋根浩,金南均,王正鸣,陆剑秋,张建平,李建华,朱佳政,杨丙凡,胡选文,
来源：中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 年份：2002
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通态电压V和关断时间t的折衷关系进行了研究,...
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