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[期刊论文] 作者：王永光,赵永武,,
来源：科学通报 年份：2008
考虑磨粒黏着力、芯片表面缺陷和表面氧化薄膜厚度以及磨粒/抛光垫大变形的条件下,通过量级估算的方法研究了分子量级的化学机械抛光(CMP)材料去除机理.理论分析和试验研究结...
[期刊论文] 作者：王永光,赵永武,,
来源：摩擦学学报 年份：2007
考虑抛光液/芯片的相界面氧化剂浓度和芯片氧化薄膜缺陷对材料去除机理的影响,提出化学机械抛光（CMP）中材料去除机理的量级估算方法,应用化学动力学及传质学等理论估算氧化薄膜......
[期刊论文] 作者：王永光, 赵永武,,
来源：半导体学报 年份：2007
基于芯片/磨粒/抛光垫的微观接触力平衡关系,建立了考虑抛光垫/磨粒大变形和粘着力效应的微观接触模型，模型预测结果表明：对于Cu和SiO2芯片而言,粘着力对磨粒所受外力具有重要...
[期刊论文] 作者：王永光,赵永武,,
来源：半导体学报 年份：2007
Katsuki采用原子力显微镜（AFM）模拟单个磨粒与芯片的划痕作用，文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光（CMP）中实际载荷情况下的划痕深度数量级为10^-11m；Nishizawa应......
[会议论文] 作者：王永光;赵永武;,
来源：第八届全国摩擦学大会 年份：2007
化学机械抛光(CMP)技术是实现超大规模集成电路(ULSI)多层布线平坦化的唯一技术。就国内外关于CMP材料原子/分子磨损机理的试验和模型研究状况和发展进行了评述。指出现有微...
[期刊论文] 作者：王永光,赵永武,肖卫东,,
来源：润滑与密封 年份：2011
采用等离子弧表面淬火方法对45#钢和38CrMoA lA合金结构钢进行表面硬化处理,硬化深度分别为0.311和0.388 mm。在球-盘式摩擦磨损实验机上研究不同速度和载荷条件下,上述两种...
[期刊论文] 作者：刘萍, 王永光, 赵永武, 朱玉广,,
来源：材料保护 年份：2004
揭示铝低压力化学机械抛光(CMP)中的弱缓蚀机制是铝CMP研究的关键问题。采用CMP试验,研究了1,2,4-三唑(TAZ)和苯并三氮唑(BTA)对铝表面去除率的影响规律;通过接触角和表面原...
[期刊论文] 作者：王永光, 赵永武, 陈广, 倪自丰,,
来源：电镀与涂饰 年份：2010
在硫酸镍15g／L，钨酸钠30g/L，柠檬酸35g/L，烷基有机添加剂1．5g／L，pH为7，温度65℃的条件下，研究了平均电流密度对脉冲镀镍钨合金镀层的外观、结合力、显微硬度、沉积速率、镀层中钨含量......
[期刊论文] 作者：王永光,赵永武,吴燕玲,雒建斌,,
来源：中国机械工程 年份：2007
通过对表面原子／分子氧化去除动态平衡模型的分析，应用概率统计方法推导了单个磨粒的多分子层薄膜的非连续去除模型，该模型考虑了化学机械抛光（CMP）中化学作用与机械作用的协调性，......
[期刊论文] 作者：卞达,倪自丰,钱善华,王永光,赵永武,
来源：表面技术 年份：2021
目的提高磷酸盐粘结涂层的耐磨损性能。方法以3-氨基丙基三乙氧基硅烷为纽带,制备氧化石墨烯-二氧化钛复合材料(GO-TiO2),并作为增强相加入涂层中。通过SEM和FTIR,对GO-TiO2...
[期刊论文] 作者：赵治安,倪自丰,卞达,杨大林,黄国栋,王永光,赵永武,,
来源：陕西师范大学学报(自然科学版) 年份：2014
以SiO2颗粒为内核，通过均相沉淀法制备出包覆结构的 CeO2＠SiO2复合磨料，研究了CeO2的含量、反应时间、煅烧温度对制备 CeO2＠SiO2复合磨料的影响．结果表明：六水硝酸亚铈的加入量为7．0......
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