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[学位论文] 作者：王盛凯,
来源： 年份：2008
本文采用溶胶凝胶方法制备了(100)织构的锆钛酸铅(Pb (Zr_(0.52) Ti_(0.48) )O_3，PZT )薄膜。利用广角X射线衍射技术研究了PZT薄膜的相结构；利用X射线ω扫描技术分析了PZT薄膜的晶体学织构及其弥散度；利用铁电性能测量仪测定了PZT薄膜的铁电性能。XRD物相分析结果......
[学位论文] 作者：王盛凯,
来源： 年份：2023
企业创新能力的提升是企业竞争力的重要体现,大数据技术的出现、应用和普及,为企业信息搜集提供了支持。对于经济建设而言,创新发挥着重要的作用,尤其是科技企业的创新发展,关系到国家的宏观经济长效发展和微观企业主体建设。大数据时代背景下,各个企业可以通过......
[期刊论文] 作者：王盛凯,万亮,高先梨,
来源：四川水泥 年份：2020
1背景介绍我公司某生产线回转窑二档托轮7#轴瓦发热导致被迫减产,通过调整工艺操作,并采取开外排循环水、风扇吹风、淋冷润滑油等一系列降温措施后,设备恢复正常生产。为检查...
[期刊论文] 作者：许维,王盛凯,刘洪刚,,
来源：稀有金属与硬质合金 年份：2017
利用Ar等离子体对晶圆表面进行激活处理,随后进行Ni-Si晶圆键合。研究了等离子体表面激活过程中的气体流量和反应离子刻蚀功率对晶圆键合效果的影响,并利用超声扫描显微镜图...
[期刊论文] 作者：周易,王盛凯,黄奇,赵杰,梁学磊,
来源：电子元件与材料 年份：2020
在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞...
[期刊论文] 作者：朱攀勇, 付金强, 高先梨, 余明江, 王盛凯,,
来源：新世纪水泥导报 年份：2018
2018年大检修期间,停窑拆除耐火砖,硅莫砖部位筒体吸潮"冒汗"现象严重,窑筒体形成栅格状有大量的腐蚀层,37.8 m处挡砖圈阶梯靠窑头侧有20～30 mm宽的环向凹槽,欲更换的34.7～37.5...
[期刊论文] 作者：许维,王盛凯,徐杨,王英辉,陈大鹏,刘洪刚,,
来源：焊接学报 年份：2016
金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键...
[期刊论文] 作者：许维,王盛凯,徐杨,王英辉,陈大鹏,刘洪刚,,
来源：半导体光电 年份：2016
着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点...
[期刊论文] 作者：曹茜茜,魏淑华,姚沛林,张静,王艳蓉,王盛凯,
来源：压电与声光 年份：2021
聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜是一种压电高分子材料,具有广泛的科学价值和技术应用前景。PVDF薄膜因具有独特的压电效应,且质地软,灵敏度高及频响范围宽等优点,使其在能量收集、新型智能传感器、生物医学、电池隔膜等领域得到了广泛的应用和关注。PVDF晶区中至少有......
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri
[期刊论文] 作者：王盛凯, 马磊, 常虎东, 孙兵, 苏玉玉, 钟乐, 李海鸥,,
来源：null 年份：2017
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[期刊论文] 作者：常虎东,孙兵,卢力,赵威,王盛凯,王文新,刘洪刚,,
来源：物理学报 年份：2012
从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层...
[期刊论文] 作者：曹明民,林子曾,王盛凯,李琦,肖功利,高喜,刘洪刚,李海鸥,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2016
采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结...
Effect of the Si-doped In_(0.49)Ga_(0.51)P barrier layer on the device performance of In_(0.4)Ga_(0.
[期刊论文] 作者：常虎东,孙兵,薛百清,刘桂明,赵威,王盛凯,刘洪刚,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In0.4Ga0.6As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with and without an Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer grown on semi-insulat...
[期刊论文] 作者：刘鹏,郝继龙,王盛凯,尤楠楠,胡钦宇,张倩,白云,刘新宇,
来源：中国物理B:英文版 年份：2021
The effects of dry O2post oxidation annealing(POA)at different temperatures on SiC/SiO2stacks are comparatively studied in this paper.The results show interface trap density(Dit)of SiC/SiO2stacks,leakage current density(Jg...
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri
[期刊论文] 作者：王盛凯,马磊,常虎东,孙兵,苏玉玉,钟乐,李海鸥,金智,刘新宇,刘洪刚,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
Positive bias temperature instability stress induced interface trap density in a buried InGaAs channel metaloxide-semiconductor field-effect transistor with a I...
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