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[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,陈如意,姬成周,王策寰,夏德谦,朱红清,
来源：半导体学报 年份：1994
在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率，高迁率的ｎ型薄层，本文研究了Ｓｉ＾＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量，注入和退火条件的关系，结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接......
[期刊论文] 作者：李国辉,韩德俊,陈如意,罗晏,刘伊犁,姬成周,朱红清,王策寰,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1992
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_...
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