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[会议论文] 作者：王雯[1]陈刚[2]陈谷然[1]李理[1],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造......
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