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[会议论文] 作者:王雯[1]陈刚[2]陈谷然[1]李理[1],
来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺,由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用,在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后,为形成大台面而造......
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