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[期刊论文] 作者：王颖峤,蓝田,
来源：原子与分子物理学报 年份：1995
用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５......
[期刊论文] 作者：蒋大文,王颖峤,蓝田,
来源：原子与分子物理学报 年份：1994
用一维能带理论计算了清洁Ａｇ（１１１），Ａｇ（１１０）和Ａｇ（００１）表面的弛豫。计算结果显示出，当ｄ１＝２．６４０Ａ（膨胀４．２％）和ｄ２＝２．９２０Ａ（膨胀２３．８％）［对Ａｇ（１１１）］；ｄ１＝１．３７５±０．００８Ａ（收缩４．８％±０．００８Ａ）［对Ａｇ（１１０）］；ｄ１＝２．０４８±０．００５Ａ（膨胀０．２４％±０．００５Ａ）［对Ａｇ（００１）］时，理论计算的ＬＥＥＤ谱与实验非常一致。......
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