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[学位论文] 作者：甘华东,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
稀磁半导体，尤其是Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体(Ga,Mn)As和(Ga,Cr)As是半导体自旋电子学的重要材料基础，它们既保持了常规半导体(p型)的特性，又具有载流子诱导的铁磁性，从物理机制上将电荷......
[期刊论文] 作者：朱科,郑厚植,甘华东,刘剑,朱汇,章昊,李桂荣,赵建华,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
在（In,Ga）As缓冲层中生长的Ga0.95Mn0.05As薄膜的磁光圆二向色性（MCD）扫描磁场的测量中发现异常现象,这一现象出现在外磁场把样品的磁化矢量扭转到与入射光方向一致或远离入射光...
[期刊论文] 作者：朱汇,郑厚植,李桂荣,谭平恒,甘华东,徐平,张飞,章昊,肖文,
来源：红外与毫米波学报 年份：2007
研究了电子隧穿出射端嵌入1．2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构，观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰．研究证实1．2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光......
[期刊论文] 作者：朱汇,郑厚植,李桂荣,谭平恒,甘华东,徐平,张飞,章昊,肖文,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的...
[期刊论文] 作者：朱汇,郑厚植,李桂荣,谭平恒,甘华东,徐平,张飞,章昊,肖文波,孙晓明,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2007
研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大...
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