搜索筛选:
搜索耗时2.2707秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：白锡巍,
来源：1999年全国微波毫米波会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：白锡巍,赵静,
来源：半导体情报 年份：1999
介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ ＲＦ开关的设计方法，在这种方法中，把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络的Ｓ参数，应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确，更简单，容易实现。文中还给......
[会议论文] 作者：赵静;白锡巍;,
来源：2000全国第八届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2000
GaAsFET模拟开关已经用于开关电容、开关电容滤波器、自校准、采样保持、信号切换、选通等电路中,频率从几十兆赫兹到几千兆赫.例如GaAs开关电容滤波器的开关频率已经高...
[期刊论文] 作者：张绵,白锡巍,
来源：半导体情报 年份：1990
按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件...
[会议论文] 作者：白锡巍,张绵,
来源：'98全国第七届MIC电路及工艺会议 年份：1998
该文介绍了GaAs MMIC RF开关一种设计方法，在这种方法中，把MESFET当做一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络(MESFET)的S参数，应用S参数进行开关电路的CAD。这种设计...
[期刊论文] 作者：张广显,白锡巍,
来源：半导体情报 年份：2000
介绍了倍频器的原理、应用以及阶跃二极管倍频器的设计方法并给出了结果。...
[期刊论文] 作者：李和委,白锡巍,
来源：半导体情报 年份：1997
报道了和于驱动ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关的高速ＧａＡｓ驱动器的设计与制作。测试结果为：同相输出时，上升时间６ｎｓ，延迟时间４．８ｎｓ，下降时间６ｎｓ，延迟时间４ｎｓ；反相输出时，上升时间６．５ｎｓ，延迟时间３ｎｓ，下降时间１０ｎｓ，延迟时间６．７ｎｓ。与ＧａＡｓＭＭＩＣ射频开关进行了......
[会议论文] 作者：白锡巍,赵静,张绵,
来源：2000全国第八届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2000
GaAsMMICT/R开关具有体积小、重量轻、功耗低、性能好等特点,适合了有源相控阵雷达TR组件的要求,有着广阔的应用前景。本文设计了三种匹配结构：一种全邵用微带线...
[期刊论文] 作者：王云生,张绵,赵静,白锡巍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
介绍一种GaAs单片超高速模拟开关IC的设计和制备。电路设计采用了独特的开关管导通时栅－源电压跟随和开关管关断时栅－源电压箝位的电路，使开关获得良好的线性和3ns的开启和关断......
[期刊论文] 作者：白锡巍,赵静,王云生,张绵,
来源：半导体情报 年份：1999
介绍了ＧａＡｓＭＭＩＣＲＦ开关的设计方法，在这种方法中，把ＭＥＳＦＥＴ当作一个两端口网络处理，直接提取开与关两种状态下网络（ＭＥＳＦＥＴ）的Ｓ参数，应用Ｓ参数进行开关电路的ＣＡＤ。这种设计方法更准确，更简单，容易实现。文中还给出了......
[会议论文] 作者：王云生,张绵,赵静,白锡巍,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文提出了一种新颖的电电流电路补偿技术，明显地提高了GaAs电子开关的抗γ剂量率的能力。结合其他的技术措施，最终获得的结果为：GaAs开关组件在1.1×10rad(Si)/s的γ剂量的辐照...
[期刊论文] 作者：张绵,王云生,李岚,白锡巍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特...
[期刊论文] 作者：张绵,白锡巍,赵静,王铁山,王云生,,
来源：半导体情报 年份：1990
按照一种新的双栅器件设计理论,采用阶梯栅和两栅间嵌入虚接地点的结构,使GaAs双栅FET获得了优良的噪声和增益性能。二栅在管壳内通过电容射频接地,有助于稳定性的改善。器件...
相关搜索：
