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[学位论文] 作者：盛雯婷,
来源：南京大学 年份：2006
自旋电子学(Spintronics)在过去的20年间经历了从产生到飞速发展的阶段。它着眼于研究电子的自旋自由度而不是其电荷自由度，为现代科学研究带来了革命性的变化。而磁性隧道结(...
[期刊论文] 作者：游彪, 盛雯婷, 孙亮, 张维, 杜军, 胡安,,
来源：自然杂志 年份：2003
本文概括性地介绍了自旋电子学的发展历程以及最新的研究进展,同时简要介绍了自旋电子学的应用实例。...
[期刊论文] 作者：杜军,孙亮,盛雯婷,游彪,鹿牧,胡安,M.M.CorteReal,J.Q.Xiao,
来源：物理学报 年份：2004
用反应溅射方法制备了Fe R O(R =Hf,Nd ,Dy)薄膜 ,并在 4 0 0℃时对样品进行退火处理 ,x射线衍射和电子衍射结果显示纳米量级的Fe晶粒镶嵌在非晶氧化物基质中 .用面内铁磁共...
[会议论文] 作者：游彪,潘明虎,赵艳玲,盛雯婷,杜军,鹿牧,胡安,
来源：第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议 年份：2001
我们用磁控溅射方法制备了Co/CoO(t,t)的双层膜,利用成膜时所加的磁场使Co层产生单轴各向异性,在其难轴方向上加以不同的磁场,使铁磁层处于不同的磁化状态进行场冷,在100K处...
[会议论文] 作者：杜军,游彪,盛雯婷,张维,鹿牧,翟宏如,胡安,G.Landry,X.H.Xiang,J.Q.Xiao,
来源：第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议 年份：2001
我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(t...
[会议论文] 作者：孙亮,任远,杜军,吴小山,盛雯婷,王雅新,游彪,鹿牧,胡安,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
采用磁控溅射法制备了NiO顶部钉扎和底部钉扎的自旋阀.底部钉扎自旋阀的磁电阻值大约比顶部钉扎的要大30﹪,原因在于顶部钉扎自旋阀的NiO/Co界面粗糙度要比底部钉扎的大.同时我...
[会议论文] 作者：杨立,吴小山,谭伟石,游彪,盛雯婷,林涛,杜军,胡安,蒋树声,
来源：第八届全国X射线衍射学术会议 年份：2003
本文试图在坡镆合金和铜的界面处插入δ层金属Ta和Cr,进而来研究δ掺杂后的坡镆合金/铜多层膜界面结构....
[会议论文] 作者：杨立,吴小山,谭伟石,游彪,盛雯婷,林涛,杜军,胡安,蒋树声,
来源：第八届全国X射线衍射学术会议 年份：2003
本文试图在坡镆合金和铜的界面处插入δ层金属Ta和Cr,进而来研究δ掺杂后的坡镆合金/铜多层膜界面结构....
[会议论文] 作者：游彪,盛雯婷,孙亮,王一星,杜军,鹿牧,胡安,徐庆宇,王岩国,张泽,
来源：第十一届全国磁学和磁性材料会议 年份：2002
我们用掩膜法制备了FeCo/Al203/Co磁性隧道结,在室温下其制备的隧穿磁电阻为8.7﹪,经过200□的退火,磁电阻上升到13.8﹪;用TEM观察其结构的变化,发现在退火后Al203层变薄,电阻值略有下降.另外电子全息的结果显示制备态势垒的不对称性来自底层CoFe在Al层氧化时不可避......
[会议论文] 作者：杜军[1]游彪[1]盛雯婷[1]张维[1]鹿牧[1]翟宏如[1]胡安[1]G.Landry[2]X.H.Xiang[2]J.Q.Xiao[2],
来源：第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议 年份：2001
我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(t...
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