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[期刊论文] 作者：李树玮, 小池一步, 矢野满明,,
来源：稀有金属 年份：2004
用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性. 样品外延的主...
[期刊论文] 作者：李树玮,小池一步,矢野满明,
来源：光散射学报 年份：2004
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料，我们通过等离子体分子束外延设备，在a-plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEE...
[会议论文] 作者：李树玮,小池一步,矢野满明,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
在本文中作者报道的InAs量子点是通过Stranski-Krastanov(S-K)生长方式生长的.生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征,利用深能级瞬态光谱(DLTS)和光制发光(PL)对InAs...
[期刊论文] 作者：李树玮,小池一步,矢野满明,
来源：光散射学报 年份：2004
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料,我们通过等离子体分子束外延设备,在a plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RH...
[期刊论文] 作者：李树玮,缪国庆,蒋红,元光,宋航,金亿鑫,小池一步,矢野满明,
来源：发光学报 年份：2002
用MBE设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点,在生长过程中通过对量子点形状、尺寸的控制来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性.用原子力...
[会议论文] 作者：李树玮,缪国庆,蒋红,元光,宋航,金亿鑫,小池一步,矢野满明,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文报道了垂直堆垛InAs量子点的生长,光学性质,异质结场效应晶体管(HFET)器件外延结构及大的阈值电压偏移所产生的存储效应等工作....
[期刊论文] 作者：延凤平,简水生,尾形健一,小池一步,佐佐诚彦,井上正崇,矢野满明,,
来源：物理学报 年份：2006
利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使用1次和2次检量式所确定的Zn1-xMgxO薄膜中的...
[期刊论文] 作者：延凤平,简水生,尾形健一,小池一步,佐佐诚彦,井上正崇,矢野满明,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2004
利用电感耦合等离子体(ICP)及电子束探针微分析(EPMA)装置对等离子体辅助的分子束外延(MBE)法在蓝宝石衬底上生长的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的Mg组分进行了测试,经理论分析,导出适...
[期刊论文] 作者：延凤平,郑凯,王琳,李一凡,龚桃荣,简水生,尾形健一,小池一步,佐佐诚彦,井上正崇,矢野满明,,
来源：物理学报 年份：2007
利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜...
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