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[学位论文] 作者：石高明,,
来源：上海交通大学 年份：2004
铁和锰的硅化物都具有丰富的物理性质，在光电器件、光纤互连、红外探测器和热电等方面有着巨大的应用潜力。本文使用分子束外延方法成功在Si(111)和Si(110)表面制备出铁和锰的...
[期刊论文] 作者：陈选龙,石高明,蔡伟,邝贤军,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2015
电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式：热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移...
[期刊论文] 作者：李玮聪,邹志强,王丹,石高明,,
来源：物理学报 年份：2012
锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景,了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一.本文采用分子束外延方法在Si(100...
[会议论文] 作者：邹志强,孙立民,石高明,刘晓勇,
来源：2013全国表面分析科学与技术应用学术会议 年份：2013
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[期刊论文] 作者：石高明,邹志强,孙立民,李玮聪,刘晓勇,,
来源：物理学报 年份：2012
本文采用分子束外延方法制备出MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线,利用扫描隧道显微镜进行观察,采用X射线光电子能谱仪系统地分析了MnSi薄膜和MnSi1.7纳米线的Mn2p和Si2p.结果表明厚度...
[期刊论文] 作者：刘丽媛,郑林挺,石高明,林晓玲,来萍,陈选龙,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2022
介绍了一种针对砷化镓集成电路（GaAs IC）金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构（如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极）的光发射显微及光致电阻变化（EMMI/OBIRCH）效应，再结合典型的电路原理，得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应......
[期刊论文] 作者：陈选龙,石高明,郑林挺,黎恩良,刘丽媛,徐小薇,林晓玲,
来源：微电子学 年份：2021
光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷.首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电......
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