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[期刊论文] 作者：祁夭佑,
来源：半导体光电 年份：1988
本文报导了一种具有低倍增暗电流的单模光纤金属化耦合p~+nGe-APD。该器件的过剩噪声因子一般为F=6.5,结电容小于0.5pF,室温下的倍增暗电流仅为5nA。In this paper, we rep...
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