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[学位论文] 作者：祝元坤,,
来源： 年份：2009
SiC具有耐高温、耐磨损、高辐射率、化学稳定性好等一系列优异的性能,是制备热防护系统表面涂层的首选材料。采用化学气相沉积、电子束蒸发等常用方法制备SiC薄膜,存在沉积温...
[学位论文] 作者：祝元坤,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2004
氧化镉(CdO)是一种非常重要的透明导电氧化物(TCO)材料。但CdO光学带隙较小，可见光透过率较低，这些不足严重限制了其应用范围。利用其它元素掺杂能有效地拓宽其光学带隙，并改善......
[期刊论文] 作者：桂奇, 祝元坤, 王现英,,
来源：电子科技 年份：2019
针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀...
[期刊论文] 作者：赵爽,祝元坤,王现英,
来源：电子科技 年份：2019
二维宽带隙半导体材料独特的纳米结构是高性能紫外光电探测器的潜在理想材料,但是在实际应用过程中,各种环境气氛可显著影响紫外光探测器件的性能。文中采用化学气相沉积方法...
[期刊论文] 作者：王丁,祝元坤,詹科,王现英,,
来源：教育教学论坛 年份：2016
《现代材料分析方法》是针对上海理工大学材料科学与工程学院三年级本科生所开设的一门重要的专业必修课。课程包括显微分析、结构分析、成分分析和性能分析四大模块,共涉及1...
[期刊论文] 作者：费明祥,祝元坤,张勇,张智雄,郑学军,,
来源：压电与声光 年份：2015
设计并制作了压电层厚度分别为0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm的d15模式层合串联结构PZT-51压电悬臂梁俘能器。测量了开路和1.0 MΩ负载下,俘能器的振动频率与输出电压和输出功...
[会议论文] 作者：祝元坤,朱嘉琦,韩杰才,陈娅冰,
来源：第十五届全国复合材料学术会议 年份：2008
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明，薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC，同时还含有石墨相和无定形碳。随着衬底温度的升高，SiC拉曼特征峰向低波数方向移动，薄膜晶粒尺寸减小，薄膜结晶程度提高......
[期刊论文] 作者：李磊,余远根,姜涛,祝元坤,王现英,郑学军,,
来源：电子科技 年份：2016
采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在Pt/Si衬底上制备了PbTiO_3（PT）薄膜和Pb（Zr_x,Ti_（1-x））O_3（PZT）薄膜,研究了退火温度以及PT种子层对PZT薄膜结晶及压电性能的影响。X射线衍射（XRD）结果表明,制......
[期刊论文] 作者：姜涛,祝元坤,赵爽,李磊,余远根,王现英,
来源：人工晶体学报 年份：2016
采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si（100）衬底上制备了镍酸镧（LaNiO3,LNO）薄膜,并利用XRD、SEM、AFM和半导体参数分析仪等研究了退火升温速率对LNO薄膜结构和电学性能的影响。结果表明,溶...
[期刊论文] 作者：苏敏,袁琪,王伟,詹科,王现英,祝元坤,,
来源：电子科技 年份：2016
采用金属有机物热分解法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备了0.85（Bi0.5Na0.5）Ti O3-0.10（K0.5Bi0.5）Ti O3-0.05Ba Ti O3（85BNT-10KBT-5BT）薄膜。通过X射线衍射仪、扫描探针显微镜（SEM）、压...
[期刊论文] 作者：祝元坤,朱嘉琦,韩杰才,梁军,张元纯,
来源：材料研究学报 年份：2009
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化．结果表明，薄膜主要以非晶为主，由Si—C键，C—C键和少量Si的氧化物杂质......
[期刊论文] 作者：张智雄, 郑学军, 张勇, 梅靖羚, 费明祥, 祝元坤,,
来源：中国有色金属学报 年份：2015
利用高剪切压电系数,设计并制作并联结构d15模式PZT-51悬臂梁装置,测量其在不同负载电阻下输出峰-峰值电压和输出功率随频率变化的关系以及不同负载电阻下共振瞬时输出电压和...
[期刊论文] 作者：余远根, 祝元坤, 郑学军, 李磊, 姜涛, 王现英, 张志,
来源：压电与声光 年份：2016
该文考虑了全夹持和半夹持边界条件分别对d15模式压电悬臂梁俘能性能的影响。基于铁木辛柯梁理论建立了d15模式压电双晶片悬臂梁装置理论模型,并制作了半夹持结构悬臂梁的实...
[会议论文] 作者：祝元坤[1]朱嘉琦[1]韩杰才[1]陈娅冰[2],
来源：第十五届全国复合材料学术会议 年份：2008
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜，利用拉曼光谱分析了衬底温度和功率对SiC薄膜结构的影响。结果表明，薄膜中既含有晶型SiC又含有非晶型SiC，同时还含有石墨相和无定形碳。......
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