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[期刊论文] 作者：吴学科,黄伟其,董泰阁,王刚,刘世荣,秦朝介,
来源：物理学报 年份：2016
在纳米晶体硅制备的过程中,晶化处理是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节.热退火、激光退火和电子束辐照是使纳米硅样品晶化的不同方式.实验表明：选取适当的晶化方式和...
[会议论文] 作者：吴学科;黄伟其;董泰阁;王刚;刘世荣;秦朝介;,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
在纳米晶体硅制备过程中,使非晶硅转化为多晶硅,是影响和提高纳米硅发光效率的重要制备环节。常规的晶化处理方式是火炉退火(声子作用于样品上),我们同时尝试了激光退火(...
[会议论文] 作者：吴学科,黄伟其,董泰阁,王刚,刘世荣,秦朝介,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：吴学科,黄伟其,董泰阁,王刚,刘世荣,韩志嵘,秦朝介,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
近年来，在研究硅和锗的发光特性时发现，低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光，考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜，本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象，通过第一性原理计算展现硅和锗薄膜的能带结构变化。......
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