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[学位论文] 作者：秦福文,,
来源：大连理工大学 年份：2004
氮化镓（GaN）基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料是制备蓝光到紫外光波段的半导体发光二极管（LED）、半导体激光二极管（LD）等光电器件的首选材料。同时由于GaN基材料具有电子漂移饱和速度......
[期刊论文] 作者：秦福文,杨大智,等,
来源：半导体光电 年份：2003
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR－PEMOCVD）技术，在α－Al2O3（0001）（蓝宝石）衬底上，分别以高纯氮气（N2）和三甲基铝（TMAl）为氮源和铝源低温生长氮化铝（AlN）薄膜。利用反......
[期刊论文] 作者：高瑛,秦福文,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文研究了不同阱宽的In0.6Ga0.4As/InP应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁，在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随......
[期刊论文] 作者：高晓文,秦福文,
来源：道路交通管理 年份：1999
秦岭山脉的崇山峻岭中，有一条婉蜒曲折的公路。它像一条灰色的绸带，飘撒在沟壑之间，一头接陕南，一头与310国道相汇，这便是陕西省道洛华公路。洛华公路，坡陡弯急，尤其是7公里900米处......
[期刊论文] 作者：郎佳红,秦福文,顾彪,,
来源：半导体技术 年份：2006
论述了反射高能电子衍射（RHEED）作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系，提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况，并从......
[期刊论文] 作者：郎佳红,秦福文,顾彪,,
来源：安徽工业大学学报(自然科学版) 年份：2007
通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系，提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况，从衬底...
[期刊论文] 作者：郎佳红,秦福文,顾彪,,
来源：红外技术 年份：2007
通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法。试验表明,置放样品的托盘...
[期刊论文] 作者：郎佳红,秦福文,顾彪,,
来源：安徽冶金科技职业学院学报 年份：2006
通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜...
[会议论文] 作者：刘冰冰,秦福文,王德君,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
SiC半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,使其在高温、高频、大功率器件领域具有极大的应用潜力.然而在实际制备中,SiO2/SiC界面存在高密度界面态(Dit),严重影响器件的电学性能.SiO2/SiC界面处的Si、C悬挂键,C团簇......
[期刊论文] 作者：秦福文,顾彪,徐茵,杨大智,
来源：半导体学报 年份：2003
通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用，结果表明：在ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以...
[期刊论文] 作者：秦福文,顾彪,徐茵,杨大智,
来源：物理学报 年份：2003
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)技术 ,在c轴取向的蓝宝石即α Al2 O3( 0 0 0 1)衬底上 ,以氮化镓 (GaN)缓冲层和外延层作为初始层 ,分...
[期刊论文] 作者：秦福文,顾彪,徐茵,杨大智,
来源：半导体光电 年份：2003
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化...
[期刊论文] 作者：徐茵,顾彪,夏亚红,秦福文,
来源：核聚变与等离子体物理 年份：1997
为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布......
[期刊论文] 作者：顾彪,徐茵,孙凯,秦福文,
来源：半导体学报 年份：1998
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种......
[会议论文] 作者：顾彪,徐茵,肇莹,秦福文,
来源：第九届全国等离子体科学技术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：陈伟绩,秦福文,吴爱民,王文彦,,
来源：功能材料 年份：2009
采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法，在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓（GaN）薄膜。利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子......
[期刊论文] 作者：郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,
来源：激光技术 年份：2003
叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程....
[期刊论文] 作者：冯庆浩,秦福文,吴爱民,王阳,,
来源：半导体技术 年份：2006
采用ECR-PECVD低温沉积方法，以质量分数为5％的SiH4（配Ar气，SiH4：Ar=1：19）和H2为反应气体，在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜，以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬......
[期刊论文] 作者：张广英,吴爱民,秦福文,姜辛,
来源：哈尔滨工程大学学报 年份：2009
为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率，采用高纯氮气作为等离子体气源，以质量分数为5％的SiH4（Ar稀释）作为前驱气源，利用电子回旋共振一等离子体增强化学气相沉积技术在......
[期刊论文] 作者：郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,
来源：激光与光电子学进展 年份：2003
简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。A brief review of the development of semiconductor short-wavelength...
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