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[期刊论文] 作者：LiuS.T.,秦邻,
来源：微电子学 年份：1991
本文讨论了制作绝缘体上硅(SOI)结构的外延横向过生长技术(ELO),并通过在SOI结构上制作的nMOS晶体管验证ELO SOI材料质量和器件总剂量加固性能。在SOI结构上制作的nMOS晶体管...
[期刊论文] 作者：J.M.Terrell,秦邻,
来源：微电子学 年份：1990
本文给出了几种采用LOCOS隔离技术,未经加固的商品化1.25μm体CMOS工艺的辐照响应结果。在所有的研究中,辐照诱发失效都是由于场氧化效应而造成的,沟道区的辐照诱发变化⊿V_T...
[期刊论文] 作者：Doern,J,秦邻,
来源：微电子学 年份：1989
采用1.6μm CMOS工艺的10位、5M取样/秒、两步闪烁模拟/数字转换器(ADC)要求54k mil~2的有效面积和350mW的功耗。全微分结构是以电阻器串和电容器阵列结构为基础的。一个采样...
[期刊论文] 作者：Terr.,JM,秦邻,
来源：微电子学 年份：1990
本文给出了几种采用LOCOS隔离技术,未经加固的商品化1.25μm体CMOS工艺的辐照响应结果。在所有的研究中,辐照诱发失效都是由于场氧化效应而造成的,沟道区的辐照诱发变化⊿V_T...
[期刊论文] 作者：Joey Doernberg,秦邻,
来源：微电子学 年份：1989
采用1.6μm CMOS工艺的10位、5M取样/秒、两步闪烁模拟/数字转换器(ADC)要求54k mil~2的有效面积和350mW的功耗。全微分结构是以电阻器串和电容器阵列结构为基础的。一个采样...
[期刊论文] 作者：朱维安,秦邻,
来源：光学精密工程 年份：1998
采用ＫＯＨ：Ｈ２Ｏ的湿法化学腐蚀Ｓｉ（１００）晶片获得了球面轮廓曲线十分好的微透镜，透镜直径可从几个微米到几个毫米，焦距和孔径之比ｆ／Ｄ可以从２．５到１０以上，文章给出了微秀镜及列阵的实验测试结果和若干显微照片......
[期刊论文] 作者：朱维安,黄友恕,钟先信,秦邻,
来源：光学精密工程 年份：1998
采用ＫＯＨ：Ｈ２Ｏ的湿法化学腐蚀Ｓｉ｛１００｝晶片获得了球面轮廓曲线十分好的微透镜，透镜直径可从几个微米到几个毫米，焦距和孔径之比ｆ／Ｄ可以从２．５到１０以上。文章给出了微透镜及列阵的实验测试结果和若干显微照......
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