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[期刊论文] 作者：穆辛,
来源：管子学刊 年份：1995
以史鉴今古为时用──齐国经济管理思想学术讨论会综述穆辛由《管子学刊》编辑部与临淄区齐文化开发领导小组共同发起召开的＂齐国经济管理思想学术讨论会＂．于１９９５年９月２１至２３日．在淄博市临......
[期刊论文] 作者：A.M.穆辛,付春光,
来源：煤炭技术 年份：1982
根据国内外的经验和卡拉干达煤炭科学研究所进行的研究和现场试验证明,在卡拉干达矿区用聚合材料能提高采煤技术经济指标和改善采掘工作的安全条件。目前矿区采用聚合材料主...
[期刊论文] 作者：玛丽亚·穆辛娜,罗姣,,
来源：世界电影 年份：2012
玛丽亚·穆辛娜(以下简称"问"):《边疆》一片从构思到首映经历了多长时间?阿列克谢·乌奇捷利(以下简称"答"):剧本写了一年,筹备拍摄花了四个月,摄制时间八个月,后期制作...
[期刊论文] 作者：穆辛,VA,田培仁,
来源：新疆有色金属 年份：1996
我们的模式基于古地磁数据.古地磁研究使我们得以恢复古构造,进行岩相分析和构造动力学的详细研究.对于中亚地区依据其古生代时期历史演化的状况,我们分辨出下列地区(自...
[期刊论文] 作者：B.Г.穆辛,洪迅法,
来源：国外金属矿山 年份：1995
作者证明了利用含铁石英岩的选别尾矿作为重混凝土中的建筑材料，以及作为生产气孔和泡沫玻璃的混合粘结料组分的可能性。列述了胶结充填料的成分，并对其工业参数作了验证。Th......
[期刊论文] 作者：阿列克谢·穆辛,刘菊,
来源：当代世界 年份：2000
普京的学历 八年级以前普京在１９３学校就读，后来由于对化学的偏爱转到２８１学校，并于１９７０年毕业。 普京当时的班主任是米娜·莫伊谢耶夫娜，尤基茨卡姬，她后来移民到以色列。 普京对精密科学兴......
[期刊论文] 作者：张惠惠,周新田,穆辛,
来源：电源世界 年份：2014
本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V／20A的SiCMOSFET，并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作对比。全面比较了3种开...
[期刊论文] 作者：阿列克谢·穆辛,刘菊,
来源：当代世界 年份：2000
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[期刊论文] 作者：阿列克谢·穆辛,刘菊,
来源：当代世界 年份：2000
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[期刊论文] 作者：B.M.萨穆辛,高振榕,,
来源：舰船特辅机电设备 年份：1977
在“克里米亚”号油船上作为防爆和降低货舱内表面腐蚀的主要设备,是由苏联工业部门在研究气体与液体在旋风泡沫器中相互作用过程的基础上设计和制造的干燥惰性气体系统(以...
[期刊论文] 作者：穆莹,穆辛,郑冰,许岩,
来源：中国乳品工业 年份：2016
为研究G蛋白偶联受体87（GPtL87）在氨基酸调控泌乳过程中的作用，在奶牛乳腺上皮细胞中分别添加浓度为0．6mmol／L蛋氨酸（Met）和1．2nmlol／L赖氨酸（Lys），检测细胞泌乳能力变化及细胞中GPR87的......
[期刊论文] 作者：穆辛娜И.Ю,沙勒琪辛Н.А,郝应其,
来源：材料工程 年份：1993
至今在镁合金熔炼和铸造中采用的熔剂按其用途可分为三类:复盖熔剂、精炼熔剂和复盖一精炼(通用)熔剂。 现在工业中采用的熔剂一般在成分中都含有碱和碱土金属盐混合物。熔...
[期刊论文] 作者：张惠惠,周新田,穆辛,Bettina Rubino,Michel,
来源：电源世界 年份：2014
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[期刊论文] 作者：穆辛·对森革兹·马高亚诺维奇,,
来源：大陆桥视野 年份：2015
今天,第三届丝绸之路经济带环阿尔泰山次区域经济合作国际论坛在中国新疆维吾尔自治区的首府乌鲁木齐召开,这是整个环阿尔泰山的四国九方共聚的盛会。首先要感谢中俄哈蒙...
[期刊论文] 作者：穆辛,周新田,张慧慧,金锐,刘钺杨,吴郁,,
来源：电子科技 年份：2014
传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题，文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器，并在0．18μm工艺下对电......
[期刊论文] 作者：张惠惠,胡冬青,周新田,周东海,穆辛,查祎英,,
来源：智能电网 年份：2013
针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了...
[会议论文] 作者：张惠惠;胡冬青;吴郁;贾云鹏;周新田;穆辛;,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
本文提出一种600V新型槽栅内透明集电极(Internal Transparent Collector,ITC) IGBT (Insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管).该结构把点注入PNM(Partially N...
[期刊论文] 作者：张惠惠,胡冬青,吴郁,贾云鹏,周新田,穆辛,,
来源：半导体技术 年份：2013
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集...
[期刊论文] 作者：张惠惠,周新田,穆辛,Bettina Rubino,Michele Macauda,Massimo Nania,Simion Buonome,,
来源：电源世界 年份：2014
本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作对比。全面...
[期刊论文] 作者：Bettina Rubino,Michele Macauda,Massimo Nania,Simion Buonome,张惠惠,周新田,穆辛,,
来源：电力电子 年份：2013
本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1200V SiC BJT(双极结型晶体管)作了对比。我...
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