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[会议论文] 作者：章国强[1]黄靖云[2]卢焕明[1],
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半......
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