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[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：无机材料学报 年份：1999
研究了不同价态Ｃｏ、Ｍｎ添加物对低压ＺｎＯ压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响，分析了由于不同价态Ｍｎ和Ｃｏ掺杂所产生的的缺陷类型，应用晶粒生长的动力学方程，Ｇ＾ｎ＝Ｄｔｅｘｐ（－Ｅ／ＲＴ）确定了晶粒生长的动力学指数和激活能......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：湖北大学学报：自然科学版 年份：1997
研究了Ｃａ＾２＋取代Ｂａ＾２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ＾２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升。Ｃａ＾２取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：材料导报 年份：1998
综述了国内外金属氧化物气敏传感器的生产和应用概况，分析了国内外目前的生产技术水平与现状，展望了金属氧化物气噩在的发展前景。...
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：硅酸盐学报 年份：1999
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：电子元件与材料 年份：1999
研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特生的蜕变具......
[会议论文] 作者：章天金,周东祥,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：章天金;周东祥;,
来源：第十届全国高技术陶瓷学术年会 年份：1998
该文研究了一价碱土金属离子Na或K掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响，应用HP4192A低频阻抗测试仪测量样品的C￣V特性曲线，并由此计算出表征样品晶粒边界电学性能参数。实验结果表...
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,姜胜林,
来源：电子元件与材料 年份：2001
借助HP4192A低频阻抗分析仪，分析了低压ZnO压敏陶瓷的C-V特性及介电和损耗特性、添加物对ZnO压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对ZnO晶粒边界电性能的作用机理。实...
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,姜胜林,
来源：功能材料 年份：2000
研究了Al2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶粒生长规律的影响．应用晶粒生长动力学方程确定了晶粒生长的动力学指数和激活能。实验结果表明：对于Al2O3掺杂ZnO压敏陶瓷，其晶粒生长的动力学指......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,龚树萍,
来源：无机材料学报 年份：1999
研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响, 分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型, 应用晶粒生长的动力学方程: Gn=Dtexp(-()/RT)确...
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,龚树萍,
来源：电子元件与材料 年份：1999
研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能，分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理，探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下，伏安特性的蜕......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,龚树萍,
来源：硅酸盐学报 年份：1999
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了......
[期刊论文] 作者：章天金,周东祥,付明,龚树萍,姜胜林,
来源：材料导报 年份：1998
综述了国内外金属氧化物气敏传感器的生产和应用概况,分析了国内外目前的生产技术水平与现状,展望了金属氧化物气敏传感器的发展前景。...
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