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[期刊论文] 作者:篠田大三郎,张维连,, 来源:世界科学 年份:1986
超大规模集成电路(超LSI)一直在继续不断地向前发展着。其发展趋势可以从代表最尖端技术的MOS存贮器的变化情况中看出来。自从1970年开发出1KDRAM以来,到今天为止,其集成度...
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