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[期刊论文] 作者：索开南,,
来源：电子工业专用设备 年份：2012
通过研究P/P＋外延片制备过程中衬底加工、背损背封、化学机械抛光、外延生长等各主要工艺对晶片总厚度变化、弯曲度、翘曲度等几何参数的影响,来分析晶片内应力的变化。重点研......
[学位论文] 作者：索开南,,
来源：河北工业大学 年份：2007
目前人们普遍认为,这个世纪是各国太空探索最为激烈的一个世纪,为争夺空间优势,夺取战略制高点,各国都在努力开展自己的深空探测计划。空间探测领域的实践经验证明,放射性同...
[期刊论文] 作者：索开南,
来源：电子工业专用设备 年份：2011
从重掺衬底硅单晶片上生长外延层的杂质来源入手,通过分析不同杂质源的控制方法,来更好地控制外延层的电阻率径向分布均匀性。对于电阻率径向均匀性要求非常高的外延片来讲,...
[期刊论文] 作者：史继祥,索开南,,
来源：电子工业专用设备 年份：2013
随着电力电子技术的发展，对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫．欧关主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟，而我国还处于起步阶段。主要从理论方面......
[期刊论文] 作者：范子雨,索开南,
来源：电子工业专用设备 年份：2019
通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多...
[期刊论文] 作者：闫萍,索开南,庞炳远,,
来源：电子工业专用设备 年份：2011
分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、（1.5～4.5）×103Ω.cm和P型、（1.0～5.0）×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为〈111〉。经...
[期刊论文] 作者：闫萍,庞炳远,索开南,,
来源：半导体技术 年份：2014
以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000~5 000Ω·cm的区熔用硅...
[期刊论文] 作者：闫萍,庞炳远,索开南,,
来源：电子工业专用设备 年份：2012
采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径（等径部分）22 mm的〈100〉晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重力作用,并提高温度梯度以增强结晶趋动力,特...
[期刊论文] 作者：索开南,闫萍,庞炳远,张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2010
半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上...
[期刊论文] 作者：庞炳远, 闫萍, 索开南, 张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：闫萍,张殿朝,索开南,庞炳远,,
来源：半导体技术 年份：2010
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一，线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟，考虑二维轴对称......
[期刊论文] 作者：张殿朝,闫萍,索开南,庞炳远,,
来源：天津科技 年份：2010
对30mm、〈111〉晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析，针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题，从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究，理论联系实践，优化工......
[期刊论文] 作者：闫萍,张殿朝,庞丙远,索开南,,
来源：半导体技术 年份：2008
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2010
在原有3英寸〈100〉区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸〈100〉晶向的区熔硅单晶,满足了对大直...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：半导体技术 年份：2008
悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情...
[期刊论文] 作者：索开南, 张伟才, 杨洪星, 郑万超,
来源：半导体技术 年份：2021
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,分析不同抛光液对抛光片表面质量的影响,确定不同抛光阶段对抛光液的要求。研究结果表明粗抛光过程是以化学腐蚀为主导的化学机械平......
[期刊论文] 作者：庞炳远, 闫萍, 索开南, 张殿朝,
来源：天津科技 年份：2010
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[会议论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔硅单晶生长系统的组成,通......
[期刊论文] 作者：索开南,张维连,赵嘉鹏,周子鹏,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
作为一种洁净能源,硅锗合金的热电转换性能的研究越来越受到人们的重视.本文重点研究了不同Ge浓度的硅锗合金以及Si、Ge单晶在300～1100K温度范围内,Seebeck系数随温度的变化....
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