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[期刊论文] 作者：罗江才,
来源：半导体光电 年份：1985
本文简述了Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体薄膜的异质外延中,晶面倾斜的产生和测量方法,列举了VPE生长的Ga_(1-x)In_xAs/GaAs和LPE生长的GaAlAsP/GaAs结构的测量结果。在In含量为0.06...
[期刊论文] 作者：郭志威,罗江才,
来源：半导体光电 年份：1984
文章对X射线在晶体材料中产生的衍射峰值半高宽度与其晶格完整性之间的关系进行了论述。对Si,GaAs、InP材料在切、磨、抛加工过程中带来的损伤进行了测量和对比,发现用测量半...
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