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[期刊论文] 作者：翁渝民,刘松,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的...
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
用氢氟酸电解腐蚀工艺研制成功一种多孔硅材料,它的光致发光谱可短至蓝绿色,用该材料制成的肖特基二极管的电致发光为黄色....
[期刊论文] 作者：翁渝民,宗祥福,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
多孔硅的发光是源自其最表面层,该层是非晶态的。本研究揭示其结构是随机分布在此表面的纳米尺度的硅。多孔硅的微结构好象量子海绵,没有观察到“线”状结构,是一种无序材料...
[期刊论文] 作者：翁渝民,吴仲墀,
来源：LSI制造与测试 年份：1990
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[期刊论文] 作者：翁渝民,宗祥福,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：1994
用扫描隧道显微和光致发光方法，观察了发光多孔硅的微结构形貌。发现多孔硅的光致发光主要源自其最表面层；该层是无定型的，但又不同于一般的非晶硅，而像是由大量纳米尺度的硅原子......
[期刊论文] 作者：翁渝民,宗祥,等,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：1995
用扫描隧道显微表征了多征硅的表面结构，发现它的Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ维数Ｄ的值为１．８８，与逾渗模型的值相等。...
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,
来源：应用科学学报 年份：1994
用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子......
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,
来源：应用科学学报 年份：1992
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料...
[期刊论文] 作者：翁渝民,刘松,宗祥福,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1992
首次观察到与砷反位缺陷As_(Ga)有关的、室温下的0.77 eV光致发光(PL)带.作者发现,电子辐照不能产生EL2,而与As_(Ga).有关的PL带并不具有光猝灭效应.在非平衡态历程中,As_(Ga...
[期刊论文] 作者：翁渝民,刘松,宗祥福,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
用光致发光技术研究了未掺杂半绝缘砷化镓中的深能级缺陷,观察到一系列与其有关的光致发光.其中0.69eV发射带是源自EL2的辐射复合发光,0.77eV带是由导带至As_(Ga)施主能级的...
[期刊论文] 作者：宗祥福,吴福杨,翁渝民,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2002
采用修正的逾渗模型,通过简单的三维Monte Carlo计算,模拟了多孔硅中孔形成的动力学过程.计算结果表明:长成的孔的形貌主要与衬底的掺杂浓度有关;在所有的强发光多孔硅的表面...
[期刊论文] 作者：邓闯,翁渝民,徐至中,费伦,
来源：物理学报 年份：2004
根据胶原蛋白分子的结构特点,建立了新的胶原蛋白分子模型,得到了更能体现胶原蛋白分子三维结构的系统哈密顿量,并采用4阶Runge-Kutta算法,对得到的电场作用下胶原蛋白分子中...
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,刘松,秦曦,
来源：应用科学学报 年份：1992
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料...
[期刊论文] 作者：翁渝民,宗祥福,范志能,周晨,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1993
开发了一个用于评估半导体材料特性的非接触测试方法.它可以得到光致发光的高分辨显微图像,揭示半导体材料中缺陷和杂质的分布.本系统空间分辨优于15μm.光致发光微形貌对于...
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,高建荣,邵玲,
来源：红外研究(A辑) 年份：1985
用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光强度增强,热缺陷减少了非辐射复合中心。高...
[期刊论文] 作者：翁渝民,宗祥福,杨新菊,陈虞峰,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1995
用扫描隧道显微表征了多孔硅的表面结构．发现它的Ｈａｕｓｄｏｒｆｆ维数Ｄ的值为１．８８，与逾渗模型的值相等．The surface structure of porous silicon was characterized by scanning tunneling micros......
[期刊论文] 作者：宗祥福,翁渝民,范志能,郑庆平,
来源：红外与毫米波学报 年份：1992
用氢氟酸电解腐蚀工艺研制成功一种多孔硅材料,它的光致发光谱可短至蓝绿色,用该材料制成的肖特基二极管的电致发光为黄色.Hydrofluoric acid electrolytic corrosion proc...
[期刊论文] 作者：宗祥福, 翁渝民, 高建荣, 邵玲, 胡鑫根,,
来源：光学学报 年份：1986
用低温光致发光技术,研究了硅单晶中浅能级杂质和热处理引进的缺陷,得到各种浓度掺棚和掺磷的硅的光致发光光渚,并作出了相应的定量分析.实验中已探测到的硼的浓度低达5×101...
[期刊论文] 作者：夏敬芳,孙锡兰,翁渝民,沈光甫,张慧英,,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1979
激光光度计用于测量5ns至6μs的重复脉冲激光强度,波长范围0.4至1.1μ,最小可检测能量1×10~(-14)焦耳。由于脉冲激光器增益高、调整使用方便以及脉宽可短至毫微秒等特点,而...
[期刊论文] 作者：周继程,沈德新,乔墉,徐晨梅,翁渝民,
来源：应用科学学报 年份：1984
鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功。主要困难是,即使用离子注入技术向砷化镓注~(14)N~+,但退火后的结果表明,氮的...
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