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[期刊论文] 作者：孔岑,李辉,周建军,陈效建,陈辰,耿习娇,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用磁控溅射生长磁膜工艺，结合BCB（苯并环丁烯）平坦化技术，首次制作了“金属线圈／磁膜／金属线圈（M／F／M）”和“磁膜／金属线圈／磁膜／金属线圈（F／M／F／M）”两种结构的多层磁膜电感，整个工艺与标准MM......
[会议论文] 作者：孔岑,周建军,李辉,陆海燕,耿习娇,许晓军,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制作的氮化镓HEMT性能测试表明,该电容的制......
[会议论文] 作者：陆海燕,周建军,孔月婵,董逊,孔岑,耿习娇,
来源：2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2012
基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振......
[期刊论文] 作者：管邦虎, 孔岑, 耿习娇, 陆海燕, 倪金玉, 周建军, 孔,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅...
[期刊论文] 作者：周建军,柏松,孔岑,耿习娇,陆海燕,孔月婵,陈堂胜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Based on the hydrogen-terminated surface channel diamond material,a 1μm gate length diamond metal-insulator-semiconductor field-effect transistor(MISFET) was f...
[期刊论文] 作者：周建军,柏松,陈刚,孔岑,耿习娇,陆海燕,孔月婵,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
基于表面氢化处理的金刚石材料，利用自对准栅工艺技术研制了P型金刚石肖特基栅场效应晶体管（MEsFET）。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时，对研制的金刚......
[会议论文] 作者：孔岑,周建军,李辉,耿习娇,陆海燕,许晓军,霍帅,陈安定,
来源：2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2012
在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容.测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性；在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF).同批次制作的Ga......
[会议论文] 作者：孔岑,陈安定,周建军,李辉,耿习娇,陆海燕,许晓军,霍帅,
来源：2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2012
在GaN衬底上制作了MIM型BST薄膜压控电容，测试表明，该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性，在5GHz处，当外加电压15V时，电容获得30％调谐(367～530fF)。同批次制作的GaN HEMT性能测试表明，该电容的制作工艺与标准GaN MMIC工艺完全兼容。......
[期刊论文] 作者：管邦虎,孔岑,耿习娇,陆海燕,倪金玉,周建军,孔月婵,冯军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm，栅...
[期刊论文] 作者：管邦虎,孔岑,耿习娇,陆海燕,倪金玉,周建军,孔月婵,冯军,陈堂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：倪金玉,董逊,周建军,孔岑,李忠辉,李亮,彭大青,张东国,陆海燕,耿习娇,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量...
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