搜索筛选:
搜索耗时3.7046秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 14 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：胡明,刘志刚,
来源：天津大学学报 年份：1995
利用真空蒸发镀膜技术研制出灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件，研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移率的因素，俄歇电子能谱分析和扫电镜形貌像表明，制备的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面光滑......
[期刊论文] 作者：胡明,刘志刚,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
利用单源真空蒸发方法制备ＩｎＳｂ薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得ＩｎＳｂ薄膜的电子迁移率为４×１０＾４ｃｍ＾２Ｖ／ｓ，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入......
[会议论文] 作者：胡明;刘志刚;,
来源：中国电子学会第十届电子元件学术年会 年份：1998
以导电聚合物聚吡咯为阴极的铝电解电容器是一种新型功能高分子固体电解电容器。由于导电聚吡咯电导率高，可有效地降低铝电解电容器的等效串联电阻，改善其阻抗频率特性，并有着易......
[期刊论文] 作者：梁继然,胡明,刘志刚,
来源：功能材料 年份：2009
采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性......
[期刊论文] 作者：胡明,刘志刚,张之圣,王文生,
来源：电子科技大学学报 年份：1999
利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2／V.s，晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁...
[期刊论文] 作者：梁继然,胡明,刘志刚,韩雷,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒（VO2-x）薄膜再附加热氧化处理的方式,进行具有金属-半导体相变特性氧化钒薄膜的制备。采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（A......
[期刊论文] 作者：胡明,刘志刚,张之圣,王文生,
来源：天津大学学报 年份：1995
利用真空蒸发镀膜技术研制出高灵敏度薄膜型ＩｎＳｂ霍尔器件．研究了影响ＩｎＳｂ薄膜电子迁移年的因素．俄歇电子能谱分析和扫描电镜形貌像表明，制各的ＩｎＳｂ薄膜化学元素配比与所用蒸发源材料相同，表面......
[期刊论文] 作者：张之圣,王文生,胡明,刘志刚,
来源：天津大学学报 年份：1992
报告InSb磁阻元件的设计制造与可靠性寿命试验,其失效率λ(t)...
[期刊论文] 作者：樊攀峰,张之圣,胡明,刘志刚,,
来源：压电与声光 年份：2006
应用射频磁控溅射工艺在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧／氩＋氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进......
[期刊论文] 作者：樊攀峰,张之圣,胡明,刘志刚,
来源：天津大学学报：英文版 年份：2006
Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电的扔的 onPt/Ti/ SiO_2/Si 底层频率(RF )...
Preparation and Characterization of Nano-Particles PZT Ferroelectric Thin Films by RF-Magnetron Sput
[期刊论文] 作者：樊攀峰,张之圣,胡明,刘志刚,,
来源：Transactions of Tianjin University 年份：2006
Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were de...
Fabrication and Characterization of VO2 Thin Films by Direct Current Facing Targets Magnetron Sputte
[期刊论文] 作者：梁继然,胡明,刘志刚,韩雷,陈涛,
来源：天津大学学报：英文版 年份：2008
Low valence vanadium oxide(VO2-x) thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputter...
Fabrication and Characterization of VO_2 Thin Films by Direct Current Facing Targets Magnetron Sputt
[期刊论文] 作者：梁继然,胡明,刘志刚,韩雷,陈涛,,
来源：Transactions of Tianjin University 年份：2008
Low valence vanadium oxide(VO2-x) thin films were prepared on SiO2/Si substrates at room temperature by direct current facing targets reactive magnetron sputter...
[期刊论文] 作者：张之圣,胡明,刘志刚,王文生,白花珍,王聪修,
来源：电子学报 年份：1996
本文讨论了磁阻效应原理，介绍了磁敏位置传感器的结构设计，将磁敏电阻的短路条采用人字型结构，将传感器设计成悬臂梁结构，实验表明，传感器的分辨率达０．０１°。In this paper, the pri......
相关搜索：
