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[学位论文] 作者：臧剑栋,,
来源：电子科技大学 年份：2008
ZnO是一种宽带隙半导体材料（Eg=3．37eV），因其非常优越的光电性能及其在光电子器件中的巨大应用价值而被誉为“二十一世纪半导体”。通常在制备ZnO材料的过程中会产生氧空位和锌填......
[会议论文] 作者：臧剑栋,王友华,梁盛铭,付东兵,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
在传统的分段电流舵D/A转换器的基础上，设计了一种改进的分段D/A转换器结构方式。通过改变D/A转换器分段结构的实现方式，降低了器件失配对D/A转换器DNL的影响。此种结构可...
[会议论文] 作者：臧剑栋,王友华,付东兵,梁盛铭,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
在传统的分段电流舵D/A转换器的基础上，设计了一种改进的分段D/A转换器结构方式。通过改变D/A转换器分段结构的实现方式，降低了器件失配对D/A转换器DNL的影响。此种结构可以使D/A转换器具有固有单调特性。......
[期刊论文] 作者：田金鹏,秦少宏,李儒章,臧剑栋,彭毅德,
来源：微电子学 年份：2018
在0.18 μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源.该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成.通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进...
[期刊论文] 作者：杨卫东,臧剑栋,李铁虎,罗璞,蒲杰,张瑞涛,陈超,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
This paper presents a 16-bit 2 GSPS digital-to-analog converter(DAC) in 0.18 m CMOS technology.This DAC is implemented using time division multiplex access syst...
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