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[期刊论文] 作者：福田承生,芦云蓉,,
来源：半导体情报 年份：1986
GaAs IC,OEIC作为硅材料以后的技术,其发展前景引人注目。很多研究机构或厂家进行了大力研究和开发。1981年10月,光共研刚成立时,就听到这样的话:“能否真正做成GaAs IC,OEI...
[期刊论文] 作者：佐野直克,芦云蓉,,
来源：半导体情报 年份：1987
所谓超晶格是指1970年江崎玲於奈博士同R.Tsu博士一起提出的人工超晶格物质而言。它是把两种半导体物质,厚度大约按着电子的德波罗意波长,周期地重叠起来的异质结多层薄膜。...
[期刊论文] 作者：藤田庆一郎,芦云蓉,,
来源：半导体情报 年份：1978
化合物半导体,虽然发展缓慢,然而正在从工业研究阶段走向生产阶段。但是要达到目前硅那样的发展程度,仍存在不少技术上的问题。就现阶段来说,技术上期待解决的问题有:(1)增大...
[期刊论文] 作者：芦云蓉,刘玉兰,何梅芬,王爱荣,,
来源：半导体情报 年份：2004
用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左...
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