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[期刊论文] 作者：苏海伟,,
来源：集成电路应用 年份：2019
手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求。配合OVP组成保护充电IC芯片的...
[期刊论文] 作者：曹健,苏海伟,
来源：变频器世界 年份：2020
根据无菌制剂上的需求,设计了欧思瑞科技的全自动配液系统、CIP站系统。该系统能够保证各生产子过程实现自动运行,并对生产过程中的参数进行实时监控和报警,以保证生产质量。...
[期刊论文] 作者：苏海伟,杨立斌,唐威,吴龙胜,刘佑宝,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
针对0.35μm BiCMOS工艺的MOS及Bipolar晶体管器件,分析其结构特征及相应物理效应,选取相应的晶体管器件理论模型,确定了样管测试条件和方法,设计了测试结构及模型验证环振电...
[期刊论文] 作者：苏海伟, 赵德益, 吕海凤, 王允, 赵志方,,
来源：集成电路应用 年份：2019
手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要...
[期刊论文] 作者：杨立斌,苏海伟,唐威,吴龙胜,刘佑宝,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
介绍了SOI技术的优势和器件建模的意义.针对0.35μm SOI CMOS工艺的开发,设计了用于建模的测试芯片.对于SOI MOSFET中存在的自加热等寄生效应设计了参数提取的流程,并设计了...
[期刊论文] 作者：于晓慧,苏海伟,邹建平,刘芹芹,王乐乐,唐华,
来源：催化学报 年份：2022
由于石墨相氮化碳(g-C3N4)的独特结构和性质,特别是其具有合适的能带结构位置及可调控的晶体结构,被广泛应用于光催化产氢反应中.然而,纯相氮化碳具有较快的光生电荷复合速率,这使其光催化产氢活性较低.目前,利用非金属或过渡金属原子掺杂可有效提升电荷分离速......
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