搜索筛选:
搜索耗时1.9098秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 15 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:苏现军, 来源:南开大学 年份:2003
探测器及其制造技术广泛地应用于军事、科技、民用等研究领域.随着越来越高的需求和半导体材料制备技术的发展,机械性能好、化学稳定和截止性能优良的GaN基Ⅲ-氮族紫外光电器...
[期刊论文] 作者:陈凤金, 苏现军,, 来源:清洗世界 年份:2015
对于镀膜工序来说,基底的清洗是必不可少的一个环节,基底清洁程度是影响镀膜产品质量的关键因素之一,保障元件镀膜前表面高洁净度,降低薄膜内的杂质污染物,镀膜前的洁净清洗...
[期刊论文] 作者:苏现军,何家元, 来源:第十一届全国薄膜学术交流会 年份:2001
硫化锌是红外波段重要的光学材料,在许多光电系统应用中,要求镀制适当的减反膜增加其透过率.介绍了硫化锌基底上的减反膜,该设计是用薄的氧化钇层作为与硫化锌的结合层,用一...
[期刊论文] 作者:陈凤金,苏现军,, 来源:清洗世界 年份:2016
叙述了HCFC-141B的物理化学特性,阐述了HCFC-141B在光学零件镀膜前的清洗方法。HCFC-141B具有沸点低、去污力强、安全环保、稳定性强等特性,广泛应用于光学零件镀膜前的清洗...
[期刊论文] 作者:陈凤金,苏现军,, 来源:城市道桥与防洪 年份:2016
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者:苏现军,徐岩,司俊杰,, 来源:光学技术 年份:2007
根据电视/红外双色制导的要求,研制了锗酸盐基底上的双波段宽带减反膜。其膜系设计采用二氧化钛和二氧化硅分别作为高、低折射率膜料的13层膜堆,镀制的膜层满足环境稳定性标...
[期刊论文] 作者:王海珍,何英杰,苏现军,, 来源:内江科技 年份:2008
文中利用聚酰亚胺高聚物的耐温性和高粘度性,巧妙地和光刻胶结合,解决了厚膜镀制中光刻胶炭化难以剥离的问题;利用聚酰亚胺在碱性显影液中有很好的可溶性,优化了光刻胶和聚酰...
[期刊论文] 作者:陈凤金,苏现军,司俊杰,王三煜,, 来源:半导体光电 年份:2014
阐述了工序能力指数(Cpk)的理论原理及计算方法。通过对某带通滤光片截止区域截止点所在波长位置的统计分析,从截止点(透过率T为5%的点)的分布情况,计算分析得出其Cpk值主要...
[期刊论文] 作者:陈凤金,马胜昔,苏现军,经凌,, 来源:应用光学 年份:2015
为考察滤光片在低温环境下的可靠性,镀制了Ge基和宝石基中波带通滤光片,分别实施了5min、15min、25min、35min、120min、300min的液氮低温试验,并测试出其透过率曲线,考察低...
[会议论文] 作者:苏现军,惠拥涛,魏志儒,何家元, 来源:2003年全国光电技术学术交流会暨第十六届全国红外科学技术交流会 年份:2003
本文提出了用射频溅射淀积技术沉积SiO红外减反保护膜的方法,对形状复杂红外罩,用该法能得到热蒸发无法达到的牢固致密薄膜,并给出了其光谱曲线....
[期刊论文] 作者:陈凤金,苏现军,马胜昔,孙永燕,阎凯,, 来源:应用光学 年份:2015
采用双面抛光的锗片为基底,镀制中波减反射膜,在湿热环境中分别持续24h、2×24h、3×24h、4×24h、5×24h、…、12×24h之后,研究了湿热环境对Ge基中波...
[期刊论文] 作者:苏现军,王武杰,赵岚,王宏杰,吕福云, 来源:量子电子学报 年份:2004
介绍了GaN基的3种可见盲紫外光探测器:p-i-n结、肖特基势垒和金属-半导体-金属紫外光探测器,并对其工作原理、特性和发展现状进行了综述....
[会议论文] 作者:彭震宇,鲁正雄,孙维国,吴伟,苏现军, 来源:第十三届全国红外科学技术交流会 年份:1998
为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器,在GaAs衬底上MBE生长的HgCdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件,研究了其在77K—220K温度间的变温特性,并与InSb器件进行了比...
[会议论文] 作者:苏现军,吴伟,孙维国,鲁正雄,彭震宇, 来源:第十三届全国红外科学技术交流会 年份:1998
为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器,在GaAs衬底上MBE生长的HgCdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件,研究了其在77K—220K温度间的变温特性,并与InSb器件进行了比...
[会议论文] 作者:苏现军,吴伟,孙维国,鲁正雄,彭震宇, 来源:第十三届全国红外科学技术交流会 年份:1998
为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器,在GaAs衬底上MBE生长的HgCdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件,研究了其在77K—220K温度间的变温特性,并与InSb器件进行了比较。...
相关搜索: