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[期刊论文] 作者：白元强,莫庆伟,
来源：北京科技大学学报 年份：1999
报道了利用分子束外延技术在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长的单层及多层ＩｎＡｓ量子点材料的透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论。结果表明，多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随......
[期刊论文] 作者：白元强,莫庆伟,范缇文,
来源：北京科技大学学报 年份：1999
报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成......
[会议论文] 作者：范缇文,莫庆伟,王占国,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
用透射击电子显微镜和Raman散射谱对InAs/GaAs量子点材料在退火过程中微观结构的行为进行了研究，实验结果表明五周期的InAs/GaAs量子点材料在砷压下，经700℃，60分钟退火后，其GaAs...
[期刊论文] 作者：秦志宏,柳得橹,莫庆伟,范缇文,
来源：电子显微学报 年份：1998
会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍......
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