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报道了利用分子束外延技术在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长的单层及多层ＩｎＡｓ量子点材料的透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论。结果表明，多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着ＩｎＡｓ量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀，在试验条件下，５层量子点材料的ＩｎＡｓ量子眯厚度和ＧａＡｓ隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量