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[期刊论文] 作者：郑有炓,张荣,胡立群,钟培新,莫水元,李学宁,顾红,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
近年来,由Ge,Si这两种晶格失配(4.2％)材料组成的Ge/Si异质结构与Ge/Si应变超晶格,由于共具有重要的科学与技术价值,受到了人们高度重视。分子束外延(MBE)技术已成功地用于生...
[期刊论文] 作者：张荣,郑有炓,李学宁,胡立群,莫水元,顾红,林祖辰,冯端,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The low-temperature processes for fabricating integrated circuits has become essential to the continuous development of smaller, faster solid-state devices and...
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