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[期刊论文] 作者：葛励冲,
来源：电子工业专用设备 年份：1996
不同离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制中ＫｒＦ准分子激光光刻技术生产第二代６４Ｍ ＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新制作０．３５μｍ的Ｘ，Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。......
[期刊论文] 作者：Kim.,K.Y,葛励冲,
来源：电子工业专用设备 年份：1999
由掩模，步进机，光刻工艺和计量仪器产生的误差影响着光刻套准。为此，推出一种检查掩模自身精度的新方法，它能为圆片加工提供更实用的基准，并可反映出其它误差量。研究表明，掩模厚度......
[期刊论文] 作者：Slona.,S,葛励冲,
来源：电子工业专用设备 年份：1997
本文从对准系统与对准过程，提高型整片对准计算，激光步进对准测量系统，以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介绍了Ｎｉｋｏｎ公司研制的一种用于光学光刻生产的提高型整片......
[期刊论文] 作者：Arno.,WH,葛励冲,
来源：电子工业专用设备 年份：1997
采用几种实用ｉ线抗蚀剂０．４８ＮＡｉ线５×镜头具有０．５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０．４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０．７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０．４８ＮＡｉ线镜头对于〈０．４７μｍ的线间对图形具有......
[期刊论文] 作者：Sang－manBae,葛励冲,等,
来源：电子工业专用设备 年份：2001
随着超大规模集成电路（VLSI）图形密度的增大，临近效应已成为光学光刻的关键问题之一。通常在平整硅片上对0.5μm图形采用0.54NA和传统的单层i线抗蚀工艺时，密集图形和孤立图形间......
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