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[期刊论文] 作者：R.D.Thom,董世川,
来源：红外技术 年份：1982
在InSb上已制成全单片红外CCD列阵,其探测和读出功能已得到证实。已报道的器件是兼有MOS探测器和四相交迭栅、表面沟道CCD的20元线列。CCD为P沟,并用离子注入的平面p—n结作...
[期刊论文] 作者：R.P.Vasquez,F.J.Grunthaner,董世川,,
来源：红外技术 年份：2004
一、引言窄禁带材料的MOS工艺需要寻找击穿特性合适的、化学稳定性好的高质量介质膜。但是大多数III—V族化合物半导体的原生氧化物化学计量比不稳定,组分不均匀,易水解。因...
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